參數(shù)資料
型號： AON4603
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： AON4603
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±20
-3.6
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
54
102
58
Max
65
125
70
R
θ
JL
Symbol
Typ
50
85
41
Max
60
110
50
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Lead
C
Thermal Characteristics: p-channel
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
-55 to 150
Thermal Characteristics: n-channel
2.1
1.3
W
T
A
=70°C
1.2
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
1.9
A
T
A
=70°C
3.2
12
-2.9
-12
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
A
T
A
=25°C
I
D
4
Gate-Source Voltage
±20
Parameter
Drain-Source Voltage
Max n-channel
30
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
AON4603
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 4A -3.6A (V
GS
= ±10V)
R
DS(ON)
< 75m
< 100m
(V
GS
= ±10V)
R
DS(ON)
< 115m
< 180m
(V
GS
= ±4.5V)
General Description
The AON4603 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
Standard Product AON4603 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AON4603L is a Green
Product ordering option. AON4603 and AON4603L are
electrically identical.
DFN2X3
G2
S2
G1
S1
D2
D2
D1
D1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-channel
p-channel
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AON4604 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4701L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4703 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4803 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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AON4605 功能描述:MOSFET COMPL 30V 4.3/3.4A DFN3X2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AON4701 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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