參數(shù)資料
型號： AON4803
廠商： ALPHA
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： AON4803
Symbol
V
DS
V
GS
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
DM
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Units
R
θ
JL
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
MOSFET
-20
±8
-3.4
Continuous Drain Current
A
Pulsed Drain Current
B
I
D
-2.7
W
A
-15
1.7
1.1
Junction and Storage Temperature Range
Power Dissipation
P
D
-55 to 150
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Typ
51
88
28
Max
75
110
35
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JA
°C/W
AON4803
Dual
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -3.4A (V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 90m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 120m
(V
GS
= -2.5V)
R
DS(ON)
< 165m
(V
GS
= -1.8V)
General Description
The AON4803 uses advanced trench technology
to provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltage as low as 1.8V. This
device is suitable for use as a load switch or in
PWM applications.
Standard Product AON4803
is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications).
DFN3X2-8L
G2
S2
G1
S1
D2
D2
D1
D1
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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AON4807_101 功能描述:MOSFET P-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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