參數(shù)資料
型號： AON5802
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 3285K
代理商： AON5802
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
30
61
4.5
Max
40
75
6
R
θ
JC
Maximum Junction-to-Lead
B
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
Steady-State
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
A
45
1.7
Junction and Storage Temperature Range
°C
-55 to 150
T
A
=70°C
1.0
Continuous Drain
Current
.
R
θ
JA
=75°C/W
Pulsed Drain Current
C
Maximum
30
±12
Units
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
8
6
V
Power Dissipation
A
R
θ
JA
=75°C/W
T
A
=25°C
W
P
DSM
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Gate-Source Voltage
AON5802
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect
Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8 A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 17 m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 20 m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 22 m
(V
GS
= 4.0V)
R
DS(ON)
< 24 m
(V
GS
= 3.1V)
R
DS(ON)
< 30 m
(V
GS
= 2.5V)
ESD Rating: 2000V HBM
General Description
The AON5800 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation with gate
voltages as low as 2.5V while retaining a 12V V
GS(MAX)
rating. It is
ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional
or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain
configuration.
Standard Product AON5802 is Pb-free (meets
ROHS & Sony 259 specifications). AON5802L is a Green Product
ordering option. AON5802 and AON5802L are electrically
identical.
Top View
Bottom View
G1
G2
S1
S2
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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