參數(shù)資料
型號(hào)： AON5802
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見(jiàn)的漏雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 3285K
代理商： AON5802
AON5802
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
V
GS
=2.5V
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
V
GS
=10V
I
D
=8A
V
GS
=2.5V
I
D
=3A
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=8A
25°C
125°C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=2V
2.5V
3V
10V
4V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOP600 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP600L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP601 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP601L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP605 Plastic Encapsulated Device
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AON5802_07 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON5802A 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
AON5802ALS 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線(xiàn)裸焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP（2x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AON5802B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2X5 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
AON5802B_101 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線(xiàn)裸焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP（2x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*