參數(shù)資料
型號(hào)： AON5802
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： AON5802
AON5802
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.0001
40
80
120
160
200
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note E)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C, T
A
=25°C
10ms
100ms
1s
10s
V
DS
=15V
I
D
=8A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JA
R
θ
JA
=75°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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AOP600L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP601 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AON5802ALS 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線裸焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP（2x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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AON5802B_101 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線裸焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP（2x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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