參數(shù)資料
型號(hào)： AON4604
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大小： 159K
代理商： AON4604
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-20
±8
-3.8
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
51.5
82
37
Max
65
100
50
R
θ
JL
Symbol
Typ
51.5
82
37
Max
65
100
50
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Lead
C
Thermal Characteristics: p-channel
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
-55 to 150
Thermal Characteristics: n-channel
1.9
1.2
W
T
A
=70°C
1.2
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
1.9
A
T
A
=70°C
4.3
15
-3.0
-15
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
A
T
A
=25°C
I
D
5.4
Gate-Source Voltage
±8
Parameter
Drain-Source Voltage
Max n-channel
20
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
AON4604
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 20V -20V
I
D
= 5.4A -3.8A (V
GS
= ±4.5V)
R
DS(ON)
< 42m
< 90m
(V
GS
= ±4.5V)
R
DS(ON)
< 52m
< 120m
(V
GS
= ±2.5V)
R
DS(ON)
< 72m
< 170m
(V
GS
= ±1.8V)
General Description
The AON4604 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
Standard Product AON4604 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications).
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-channel
p-channel
G2
S2
G1
S1
D2
D2
D1
D1
1
2
3
4
8
7
6
5
DFN3X2-8L
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4701L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4703 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4803 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON5800 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AON4605 功能描述:MOSFET COMPL 30V 4.3/3.4A DFN3X2 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AON4605_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AON4701 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4701L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*