參數(shù)資料
型號： AON3601
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強模式互補場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 171K
代理商： AON3601
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±20
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
50
90
43
45
80
40
Max
62.5
110
53
62.5
110
50
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JL
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
t
≤
10s
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
30
±20
6.6
5.6
30
2
1.44
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
-4.2
-20
-5
2
1.44
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
AON3601
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 6.6A (V
GS
=10V) -5A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 29m
(V
GS
=10V) < 52m
(V
GS
= -10V)
< 42m
(V
GS
=4.5V) < 72m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AON3601 uses advanced trench technology
MOSFETs to provide excellent R
DS(ON)
and low gate
charge. The complementary MOSFETs may be
used in power inverters, and other
applications.
Standard Product AON3601 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AON3601L is a Green Product ordering
option. AON3601 and AON3601L are
electrically identical.
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-channel
p-channel
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
DFN 3x3
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Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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