參數(shù)資料
型號(hào)： AON3601
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： AON3601
AON3601
P-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
60
72
0
5
10
15
20
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
-V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-3.5V
-4V
-10V
-4.5V
-5V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
25°C
125°C
V
DS
=-5V
20
40
60
80
100
1
3
5
7
9
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
Ω
)
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
8.00E-01
1.00E+00
1.20E+00
1.40E+00
1.60E+00
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-10V
I
D
=-5A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-4.2A
20
40
60
80
100
120
140
160
2
4
6
8
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
Ω
)
I
D
=-5A
25°C
125°C
-2.5V
-6V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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