參數(shù)資料
型號(hào)： AON3601
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： AON3601
AON3601
N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
3.5V
4V
4.5V
10V
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
I
D
(Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
Ω
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
I
S
125°C
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
0
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=6.6A
V
GS
=4.5V
I
D
=5.5A
10
20
30
40
50
60
70
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
Ω
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=5A
125°C
25°C
25°C
5V
6V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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