參數(shù)資料
型號(hào)： AON3812
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： AON3812
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
43
77
35
Max
56
95
50
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±12
6
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
30
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
F
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
5.3
30
2.2
1.4
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AON3812
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect
Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 27m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 30m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 40m
(V
GS
= 2.5V)
General Description
The AON3812 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation
with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V
V
GS(MAX)
rating. It is ESD protected. This device is
suitable for use as a uni-directional or bi-directional load
switch, facilitated by its common-drain configuration.
Standard Product AON3812 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications).
G1
1.6K
G2
1.6K
D1
S1
D2
S2
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
DFN 3x3
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Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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