參數(shù)資料
型號(hào)： AON3812
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 124K
代理商： AON3812
AON3812
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
(
s
V
DS
=15V
I
D
=6A
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
)
C
iss
C
rss
C
oss
0
0.0001
10
20
30
40
50
60
70
80
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
T
on
T
P
D
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=56°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Single Pulse
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
100
μ
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C, T
A
=25°C
100m
10s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AON3814 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON3816 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4413 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4602 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4602L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AON3814 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A DFN3X3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON3814_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V N-Channel MOSFET
AON3816 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 4A 8-DFN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AON3816_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V N-Channel MOSFET
AON3816_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 4A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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