參數(shù)資料
型號(hào)： AON4602L
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： AON4602L
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-20
±8
-3.4
-2.7
-15
1.7
1.1
-55 to 150
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
70
100
63
Max
90
125
80
R
θ
JL
Symbol
Typ
49
81
37
Max
75
100
45
R
θ
JL
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Max n-channel
20
±8
4.2
3.2
15
1.4
0.9
A
T
A
=70°C
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
I
D
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
D
W
-55 to 150
Thermal Characteristics: n-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Thermal Characteristics: p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JA
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Lead
C
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AON4602
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 20V -20V
I
D
= 4.2A -3.4A (V
GS
= ±4.5V)
R
DS(ON)
< 50m
< 90m
Ω
(V
GS
= ±4.5V)
R
DS(ON)
< 63m
< 120m
Ω
(V
GS
= ±2.5V)
R
DS(ON)
< 87m
< 160m
Ω
(V
GS
= ±1.8V)
General Description
The AON4602 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
Standard Product AON4602 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AON4602L is a Green
Product ordering option. AON4602 and AON4602L are
electrically identical.
DFN
3
X
2
G2
S2
G1
S1
D2
D2
D1
D1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-channel
p-channel
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AON4603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4604 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4701L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4703 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AON4604 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.4A/3.8A 8-Pin DFN
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AON4605_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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