參數(shù)資料
型號(hào)： AON4413
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 143K
代理商： AON4413
Symbol
V
DS
V
GS
10 Sec
Steady State
-30
±20
-6.5
-5.3
-4.7
-3.7
I
DM
3.1
2.0
1.6
1.0
T
J
, T
STG
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Symbol
Typ
34
66
20
Max
40
80
25
t
≤
10s
Steady State
Steady State
R
θ
JL
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
Continuous Drain
Current
A
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
I
D
Gate-Source Voltage
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
P
D
Maximum Junction-to-Lead
C
°C/W
Thermal Characteristics
Units
°C/W
°C/W
R
θ
JA
°C
-55 to 150
W
-25
G
D
D
D
S
D
D
D
AON4413
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -6.5A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 46m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 60m
(V
GS
= -6V)
General Description
The AON4413 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
with low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Standard product AON4413 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications).
G
D
S
DFN 3x2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AON4602 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4602L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4604 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AON4420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON4420L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4421 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON4421_001 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AON4602 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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