AON4413

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

AON4413
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬(wàn)代
DFN2x3
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AON4413
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15862
AOS/萬(wàn)代
DFN
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
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制造商
AOSMD
制造商全稱
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AON4413 技術(shù)參數(shù)

AON4407L_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4407L_002 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4407L 功能描述:MOSFET P-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2100pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON4407_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4407 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L