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AON4421_001

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AON4421_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 8A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 26 毫歐 @ 8A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 21nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1120pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-SMD,扁平引線
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN(3x2)
  • 標準包裝
  • 1
AON4421_001 技術參數(shù)
  • AON4421 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4407L_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4407L_002 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4407L 功能描述:MOSFET P-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2100pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9.5A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標準包裝:3,000 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206
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