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AON6264E

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  • AON6264E
    AON6264E

    AON6264E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • AOS

  • DFN5x6

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AON6264E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • *
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
AON6264E 技術(shù)參數(shù)
  • AON6262E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1650pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):48W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6260 功能描述:MOSFET N-CH 60V 85A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):41A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5578pF @ 30V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6250 功能描述:MOSFET N-CH 150V 52A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13.5A(Ta),52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2388pF @ 75V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6248 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17.5A(Ta),53A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1543pF @ 30V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6246 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Ta),80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3420pF @ 30V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6284 AON6284A AON6290 AON6292 AON6294 AON6298 AON6312 AON6314 AON6354 AON6358 AON6360 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002
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