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AON6411_001

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AON6411_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平柵極,2.5V 驅動
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 47A(Ta),85A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 2.1 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 330nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 10290pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 7.3W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN(5x6)
  • 標準包裝
  • 1
AON6411_001 技術參數(shù)
  • AON6411 功能描述:MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10290pF @ 10V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6410 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1452pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6408L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14.5A(Ta),25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6407 功能描述:MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):105nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3505pF @ 15V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6405L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):105nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444 AON6448 AON6450 AON6450L AON6450L_001 AON6452 AON6454A AON6454A_001 AON6458 AON6482 AON6484 AON6500 AON6500_001 AON6502
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