AON6411_001

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
47A（Ta），85A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
2.1 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
330nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
10290pF @ 10V
功率 - 最大值
7.3W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（5x6）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

AON6411_001 技術(shù)參數(shù)

AON6411 功能描述:MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:47A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10290pF @ 10V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6410 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1452pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6408L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14.5A（Ta），25A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6407 功能描述:MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:105nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3505pF @ 15V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6405L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:105nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444 AON6448 AON6450 AON6450L AON6450L_001 AON6452 AON6454A AON6454A_001 AON6458 AON6482 AON6484 AON6500 AON6500_001 AON6502