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AON6532P

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
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  • AON6532P
    AON6532P

    AON6532P

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 59990

  • AO

  • DFN-856

  • 17+

  • -

  • 100%原裝，誠(chéng)信為本，等你咨詢！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
AON6532P PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 68A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 710mV @ 1A
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 17.2nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1080pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 35.5W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 4.1 毫歐 @ 20A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
AON6532P 技術(shù)參數(shù)
  • AON6532 功能描述:MOSFET N CH 30V 27A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），68A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1080pF @ 15V 功率 - 最大值:5.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6530 功能描述:MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28.5A（Ta），72A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1315pF @ 15V 功率 - 最大值:5.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6528 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1037pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6526 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Ta），32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1229pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6524_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），68A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5.7W（Ta），35.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6560 AON6562 AON6566 AON6566_MSI AON6566P AON6572 AON6576 AON6578 AON6586 AON6588 AON6590 AON6594 AON6596 AON6598 AON6702 AON6718L_101 AON6748_101 AON6748_102
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