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AON6266_101

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 30A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 15nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1340pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 38W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 15 毫歐 @ 20A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN（5x6）
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
AON6266_101 技術(shù)參數(shù)
  • AON6266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta），30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1340pF @ 30V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6264E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6262E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1650pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:48W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6260 功能描述:MOSFET N-CH 60V 85A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5578pF @ 30V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6250 功能描述:MOSFET N-CH 150V 52A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Ta），52A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2388pF @ 75V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6290 AON6292 AON6294 AON6298 AON6312 AON6314 AON6354 AON6358 AON6360 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002 AON6370P AON6372
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