參數(shù)資料
型號： AON3816
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： AON3816
Symbol
V
DS
V
GS
10 Sec
Steady State
20
4
4
4
4
I
DM
2.4
1.5
1.4
0.9
T
J
, T
STG
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Symbol
Typ
43
80
33
Max
52
90
50
t
≤
10s
Steady State
Steady State
R
θ
JL
R
θ
JA
W
±12
20
P
D
°C
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
°C/W
Thermal Characteristics
Units
°C/W
°C/W
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Continuous Drain
Current
A F
Pulsed Drain Current
B
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
I
D
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
AON3816
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 4A (V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 22m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 23m
(V
GS
= 4V)
R
DS(ON)
< 28m
(V
GS
= 2.5V)
ESD Protected
General Description
The AON3816/L uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge. It is ESD
protected. This device is suitable for use as a uni-
directional or bi-directional load switch, facilitated by
its common-drain configuration. AON3816 and
AO3816L are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO3816L is Halogen Free
G2
D2
G1
D1
S1
S2
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
DFN 3x3
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Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述
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