參數(shù)資料
型號： AO4922
廠商： ALPHA
英文描述： Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 非對稱雙N溝道增強型場效應晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： AO4922
AO4922
FET1 TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTIC
S
DYNAMIC PARAMETERS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
(nC)
V
G
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
C
oss
C
rss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
100
μ
s
V
DS
=15V
I
D
=9A
0
0.0001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
1s
10s
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note E)
Z
θ
J
T
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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