型號(hào): | AO4922 |
廠商: | ALPHA |
英文描述: | Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | 非對稱雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 168K |
代理商: | AO4922 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
AO4924 | Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4932 | Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4944 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4F800 | Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AOF800L | Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
AO4922_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Asymmetric Dual N-Channel MOSFET |
AO4924 | 功能描述:MOS N CH DUAL 30V 9A 7.3A SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:SRFET™ 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
AO4924_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Asymmetric Dual N-Channel MOSFET |
AO4924L | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15.8 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1885pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
AO4926 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |