參數(shù)資料
型號： AO4944
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： AO4944
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
48
74
32
Max
62.5
90
40
R
θ
JL
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
B
16
38
2
A
mJ
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
T
A
=70°C
1.3
W
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
A
T
A
=70°C
6.9
40
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
AF
T
A
=25°C
I
D
8.6
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
30
±12
V
V
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum
Units
AO4944
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SRFET
TM
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.6A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 16m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
SRFET
TM
The AO4944 uses advanced trench
technology with a monolithically integrated Schottky
diode to provide excellent R
DS(ON)
and low gate
charge. This device is suitable for use as a low and
high side switch in SMPS and general purpose
applications. Standard product
AO4944 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications)
.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
SRFET
TM
S
oft
R
ecovery MOS
FET
:
Integrated Schottky Diode
D 1
S 1
G1
D 2
S2
G2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述
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AO4952L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:SO8 PACKAGE MARKING DESCRIPTION
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