2-46 Revision 13 Table 2-54 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Volt" />
參數(shù)資料
型號： A3P250L-1VQ100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 202/242頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 250K 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3L
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
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ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-46
Revision 13
Table 2-54 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.54
4.61
0.04
0.90
0.38
4.70
3.91
2.05
1.99
6.71
5.92
ns
–1
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Std.
0.54
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2.32
2.47
5.88
5.41
ns
–1
0.46
3.23
0.03
0.77
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Std.
0.54
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2.14
2.36
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ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-55 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.54
2.51
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2.47
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ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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