2-12 Revision 13 Table 2-16 Summary of I/O Output Buffer Power (per pin) – Def" />
參數(shù)資料
型號： A3P250L-1VQ100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 164/242頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 250K 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3L
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
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ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-12
Revision 13
Table 2-16 Summary of I/O Output Buffer Power (per pin) – Default I/O Software Settings 1
Applicable to Advanced I/O Banks
CLOAD (pF)
VCCI (V)
Static Power
PDC7 (mW)2
Dynamic Power
PAC10 (W/MHz)3
Single-Ended
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
5
3.3
–
141.97
2.5 V LVCMOS
5
2.5
–
79.98
1.8 V LVCMOS
5
1.8
–
52.26
1.5 V LVCMOS (JESD8-11)
5
1.5
–
35.62
1.2 V LVCMOS
5
1.2
–
21.29
3.3 V PCI
10
3.3
–
201.02
3.3 V PCI-X
10
3.3
–
201.02
Differential
LVDS
–
2.5
7.74
89.71
LVPECL
–
3.3
19.54
167.54
Notes:
1. Dynamic power consumption is given for standard load and software default drive strength and output slew.
2. PDC7 is the static power (where applicable) measured on VCCI.
3. PAC10 is the total dynamic power measured on VCCI.
Table 2-17 Summary of I/O Output Buffer Power (per pin) – Default I/O Software Settings 1
Applicable to Standard Plus I/O Banks
CLOAD (pF)
VCCI (V)
Static Power
PDC7 (mW)2
Dynamic Power
PAC10 (W/MHz)3
Single-Ended
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
5
3.3
–
125.97
2.5 V LVCMOS
5
2.5
–
70.82
1.8 V LVCMOS
5
1.8
–
36.39
1.5 V LVCMOS (JESD8-11)
5
1.5
–
25.34
1.2 V LVCMOS
5
1.2
–
16.24
3.3 V PCI
10
3.3
–
184.92
3.3 V PCI-X
10
3.3
–
184.92
Notes:
1. Dynamic power consumption is given for standard load and software default drive strength and output slew.
2. PDC7 is the static power (where applicable) measured on VCCI.
3. PAC10 is the total dynamic power measured on VCCI.
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