參數(shù)資料
型號： 2SC5509-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： 2SC5509-T2
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
8
2SC5509
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
Frequency
S
11
S
21
S
12
S
22
(GHz)
MAG.
ANG.
(deg.)
MAG.
ANG.
(deg.)
MAG.
ANG.
(deg.)
MAG.
ANG.
(deg.)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
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3.0
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0.66
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0.67
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0.68
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0.70
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0.71
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0.72
0.72
0.72
0.72
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129.5
116.5
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138.1
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119.8
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2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5517000LK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5521 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR
2SC5536A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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