參數(shù)資料
型號： 2SC5509-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù)： 3/15頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： 2SC5509-T2
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
3
2SC5509
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
Thermal/DC Characteristics
TOTAL POWER DISSIPATION vs. AMBIENT
TEMPERATURE, CASE TEMPERATURE
V
CE
= 2 V
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
50
40
30
20
10
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
400
350
330
300
250
200
190
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
T
t
Ambient Temperature T
A
(C), Case Temperature T
C
(C)
When case temperature
is specified
Mounted on
ceramic substrate
(15
×
15 mm, t = 0.6 mm)
Free Air
200
100
150
50
0
0.01
0.1
0.001
1
10
100
D
F
Collector Current I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 2 V
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
150
50
100
0
2
1
4
3
5
200 A
100 A
300 A
500 A
μ
700 A
900 A
I
B
= 1 100 A
Capacitance/f
T
Characteristics
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.00
f = 1 MHz
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
0.60
0.80
0.20
0.40
0
1.0
3.0
4.0
2.0
5.0
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
30
25
20
15
10
5
0
10
100
1
1 000
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1
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