參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5509-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： 2SC5509-T2
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
11
2SC5509
NOISE PARAMETERS
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
f
NF
min
G
a
Γ
opt
Rn/50
f
NF
min
G
a
Γ
opt
Rn/50
(GHz)
(dB)
(dB)
MAG.
ANG.
(GHz)
(dB)
(dB)
MAG.
ANG.
0.8
0.70
18.0
0.17
93.0
0.11
0.8
1.12
20.7
0.30
164.8
162.7
160.7
151.5
146.3
144.6
142.9
133.5
0.08
0.9
0.74
17.0
0.18
103.0
0.11
0.9
1.15
19.7
0.31
0.09
1.0
0.78
16.2
0.20
112.7
0.11
1.0
1.18
18.8
0.32
0.09
1.5
0.98
13.6
0.32
155.4
0.09
1.5
1.31
15.7
0.39
0.10
1.8
1.10
12.5
0.40
176.2
177.8
172.2
151.8
0.07
1.8
1.38
14.4
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0.10
1.9
1.14
12.2
0.43
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1.9
1.41
14.0
0.47
0.10
2.0
1.18
11.8
0.46
0.06
2.0
1.43
13.6
0.49
0.11
2.5
1.39
9.9
0.56
0.08
2.5
1.56
11.5
0.56
0.14
V
CE
= 2 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 2 V, I
C
= 50 mA
f
NF
min
G
a
Γ
opt
Rn/50
f
NF
min
G
a
Γ
opt
Rn/50
(GHz)
(dB)
(dB)
MAG.
ANG.
(GHz)
(dB)
(dB)
MAG.
ANG.
0.8
0.87
19.6
0.13
170.3
0.09
0.8
1.75
21.3
0.49
159.4
157.2
154.9
144.7
139.1
137.3
135.5
126.4
0.10
0.9
0.90
18.6
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0.09
0.9
1.78
20.3
0.49
0.10
1.0
0.93
17.8
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173.0
174.1
164.1
160.6
157.2
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0.09
1.0
1.80
19.4
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1.5
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1.8
2.00
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1.18
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1.9
2.02
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1.20
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2.5
2.17
11.8
0.65
0.28
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2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5517000LK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5521 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR
2SC5536A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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