參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5509-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： 2SC5509-T2
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
4
2SC5509
Gain Characteristics
V
= 2 V
I
C
= 50 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
M
40
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1.0
10.0
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
30
I
2
|
2
M
M
25
20
15
10
5
0
1
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
f = 1 GHz
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
30
I
2
|
2
M
M
15
20
25
10
5
0
1
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
Output Characteristics
V
CE
= 2 V
f = 1 GHz
25
20
15
10
5
0
–5
150
25
50
75
125
100
0
–15
0
–5
–10
5
10
15
Input Power P
in
(dBm)
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
O
o
C
C
P
out
I
C
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
25
20
15
10
5
0
–5
150
25
50
75
125
100
0
–15
0
–5
–10
5
10
15
Input Power P
in
(dBm)
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
O
o
C
C
P
out
I
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5517000LK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5521 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR
2SC5536A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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