參數(shù)資料
型號: 2SC5509-T2
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述: NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù): 12/15頁
文件大?。?/td> 82K
代理商: 2SC5509-T2
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
12
2SC5509
PACKAGE DIMENSIONS
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
0
0
+
0
0
0
0
1
1
2
1
2
4
3
1.25 ± 0.1
2.05 ± 0.1
0
+
0
+
0
+
0
+
T
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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2SC5521 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR
2SC5536A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2