參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5509-T2
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述: NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù): 5/15頁
文件大小: 82K
代理商: 2SC5509-T2
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
5
2SC5509
Noise Characteristics
6.0
0.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
CE
= 2 V
f = 1 GHz
NF
G
a
6.0
0.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
CE
= 2 V
f = 1.5 GHz
NF
G
a
6.0
0.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
NF
G
a
6.0
0.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
CE
= 2 V
f = 2.5 GHz
NF
G
a
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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2SC5536A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2