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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6668G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W |
| 中文描述： | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | 2N6668G |
2N6667, 2N6668
http://onsemi.com
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 250
V
Figure 11. Typical “On” Voltages
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 250
T
J
= 25
°
C
V
BE
@ V
CE
= 3 V
0.1
0.2 0.3
0.5
0.7
1
2
10
7
3
5
3
2
1.5
1
0.5
Figure 12. Typical Temperature Coefficients
+3
+2
0
1
2
3
+5
+4
+1
2.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
10
7
3
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
θ
°
55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
θ
VB
for V
BE
4
5
θ
VC
for V
CE(sat)
hFE@VCE
3.0V
3
*I
C
/I
B
≤
10
5
Figure 13. Typical Collector CutOff Region
V
BE
, BASEEMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
2
10
1
10
0
,
I
10
1
V
CE
= 30 V
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
10
3
10
4
+0.2
+0.4
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.2 1.4
1
+0.6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6690 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N6689 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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