參數(shù)資料
型號： 2N6667G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
中文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2N6667G
2N6667, 2N6668
http://onsemi.com
3
Figure 2. Switching Times Test Circuit
0
V
CC
30 V
SCOPE
TUT
+ 4.0 V
t
r
, t
f
DUTY CYCLE = 1.0%
10 ns
R
C
D
1
, MUST BE FAST RECOVERY TYPES e.g.,
1N5825 USED ABOVE I
MSD6100 USED BELOW I
B
100 mA
100 mA
B
25
μ
s
D
1
51
R
B
& R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
V
2
APPROX
+ 8 V
V
1
APPROX
12 V
8 k
120
FOR t
d
AND t
r
, D
1
IS DISCONNECTED AND V
2
= 0
R
B
t
80
40
20
0
20
40
80
100
120
160
Figure 3. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
P
60
T
A
4
T
C
2
1
3
0
60
140
T
A
T
C
0.1
Figure 4. Typical Switching Times
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
0.7
0.5
0.3
0.2
0.2
10
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
f
1
5
t
s
t
r
0.1
1
3
0.5
2
.t
d
2
7
0.3
0.7
3
7
10
Figure 5. Thermal Response
t, TIME (ms)
1
0.01
0.01
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.02
r
T
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
500
Z
θ
JC
(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC
= 1.92
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.05
0.1
0.02
0.01
0.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6668G Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
2N6690 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6689 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6691 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6693 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6672 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
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