參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6667G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
中文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2N6667G
2N6667, 2N6668
http://onsemi.com
2
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
Peak
15
Base Current
Total Device Dissipation @ T
= 25 C
Derate above 25 C
I
250
65
0.52
mAdc
W
W/ C
P
Total Device Dissipation @ T
A
= 25 C
P
D
2.0
W
J
stg
1. Indicates JEDEC Registered Data.
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2%.
2N6668
JC
JA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Note 1)
(T
C
= 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage (Note 2)
(V
CE
= 80 Vdc, I
B
= 0)
Collector Cutoff Current
CE
EB(off)
(V
CE
= 60 Vdc, V
EB(off
) = 1.5 Vdc, T
C
= 125 C)
CE
EB(off)
C
2N6667
V
CEO(sus)
60
Vdc
2N6667
1.0
CEX
3.0
mAdc
(I
C
= 10 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
CollectorEmitter Saturation Voltage(I
C
= 5.0 Adc, I
B
= 0.01 Adc)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance (V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
CE
100
V
2.0
Vdc
4.5
Current Gain Bandwidth Product (I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, f
test
= 1.0 MHz)
|h
fe
|
C
ob
fe
20
200
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6668G Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
2N6690 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6689 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6691 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6693 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6672 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
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