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參數(shù)資料
| 型號： | 28F320B3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 智能高級啟動3座4 - ，8 - ，16 - ，32 - Mbit閃存家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 47/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | 28F320B3 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
41
NOTES:
1. See
Figure 12,
“
AC Input/Output Reference Waveform
”
on page 38
for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
2. AC specifications assume the data bus voltage is less than or equal to V
CCQ
when a read operation is
initiated.
3. t
= 85 ns for 128-Mbit device.
4. Address hold in synchronous burst-mode is defined as t
CHAX
or t
VHAX
, whichever timing specification is
satisfied first.
5. OE# may be delayed by up to t
ELQV
–
t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact to t
ELQV
.
6. Sampled, not 100% tested.
7. Applies only to subsequent synchronous reads.
Figure 14. Single Word Asynchronous Read Waveform
V
IH
V
IL
Valid
Address
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
High Z
V
OH
V
OL
Valid
Output
V
IH
V
IL
R1
R2
R3
R4
R5
R7
R10
Generic_Async_Rd
Address [A]
CE# [E]
OE# [G]
WE# [W]
Data [D/Q]
RST# [P]
R8
R9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F640P3 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F320C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F800C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F160C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F320D18 | 1.8 Volt Intel Dual-Plane Flash Memory(1.8 V Intel 雙平面閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F320C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| 28F320J3D75 | 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F320J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY 32 AND 64 MBIT |
| 28F320J5_02 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
| 28F320S3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
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