- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F160C3 (INTEL CORP) 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F160C3 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8M X 8 FLASH 3V PROM |
| 文件頁數(shù)： | 37/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | 28F160C3 |
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E
4.8
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3
37
PRELIMINARY
Reset Operations
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
(A) Reset during Read Mode
Abort
Complete
PLRH
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
(B) Reset during Program or Block Erase, <
PLPH
PLRH
t
t
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
Abort
Complete
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
PLRH
t
Deep
Power-
Down
(C) Reset Program or Block Erase, >
PLPH
PLRH
t
Figure 10. AC Waveform: Reset Operation
Table 11. Reset Specifications
(1)
V
CC
2.7 V
–3.6 V
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Unit
t
PLPH
RP# Low to Reset during Read
(If RP# is tied to V
CC
, this specification is not
applicable)
2,4
100
ns
t
PLRH1
t
PLRH2
NOTES:
1.
2.
3.
4.
RP# Low to Reset during Block Erase
3,4
22
μs
RP# Low to Reset during Program
3,4
12
μs
See Section 3.1.4 for a full description of these conditions.
If t
PLPH
is < 100 ns the device may still reset but this is not guaranteed.
If RP# is asserted while a block erase or
word program operation is not executing, the reset will complete within 100 ns.
Sampled, but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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