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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX849 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 5 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | ZTX849 |
0.01
0.1
1
10
0.4
0
0.8
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
C
-
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(sat)
v I
C
I
C
-
V
CE
-
Collector Voltage (Volts)
Safe Operating Area
0.1
100
1
10
0.1
1
10
100
Single Pulse Test at T
amb
=25°C
0.01
0.1
1
10
1.0
0.5
2.0
1.5
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(on)
v I
C
B
-
V
CE
=1V
B
-
I
C
/I
B
I
C
/I
B
=10
0.6
0.2
0.01
0.1
1
10
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.6
1.4
1.2
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
h
F
-
300
200
100
h
F
-
D.C.
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
V
CE
=5V
V
CE
=1V
100
100
0.001
0.01
0.1
1
10
1.0
0.5
2.0
1.5
100
0.001
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
100
ZTX849
3-293
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX851 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX853 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX855 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX857 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX869 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX849 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN E-LINE |
| ZTX849STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX849STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX849STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX851 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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