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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZTX849 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 5 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | ZTX849 |
ZTX849
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
850
950
mV
IC=5A, V
CE
=1V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
100
100
100
30
200
200
170
65
300
I
C
=10mA, V
=1V
I
C
=1A, V
CE
=1V*
I
C
=5A, V
CE
=1V*
I
C
=20A, V
CE
=1V*
Transition Frequency
f
T
100
MHz
I
=100mA, V
CE
=10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
75
pF
V
CB
=10V, f=1MHz*
Switching Times
t
on
t
off
45
630
ns
ns
I
C
=1A, I
=100mA
I
B2
=100mA, V
CC
=10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
Junction to Case
R
th(j-amb)
R
th(j-case)
150
50
°C/W
°C/W
-40
2.0
1.0
0.0001
50
150
100
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
4.0
3.0
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
Casetempeaue
Ambient temperature
D.C.
D=0.6
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
0.001
0
3-292
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX851 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX853 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX855 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX857 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX869 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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