參數(shù)資料
型號： ZTX853
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： ZTX853
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH CURRENT TRANSISTOR
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995
FEATURES
*
100 Volt V
CEO
*
4 Amps continuous current
*
Up to 10 Amps peak current
*
Very low saturation voltage
*
P
tot
=1.2 Watts
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
200
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
100
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Peak Pulse Current
I
CM
10
A
Continuous Collector Current
I
C
4
A
Practical Power Dissipation*
P
totp
1.58
W
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1.2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:Tstg
-55 to +200
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
200
300
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown
Voltag
V
(BR)CER
200
300
V
IC=1
μ
A, RB
≤
1K
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
100
120
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
6
8
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
50
1
nA
μ
A
V
CB
=150V
V
CB
=150V, T
amb
=100°C
Collector Cut-Off Current
I
CER
R
≤
1K
50
1
nA
μ
A
V
CB
=150V
V
CB
=150V, T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
10
nA
V
EB
=6V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
14
100
160
50
150
200
mV
mV
mV
I
C
=0.1A, I
=5mA
I
C
=2A, I
B
=100mA
I
C
=4A, I
B
=400mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
960
1100
mV
I
C
=4A, I
B
=400mA*
E-Line
TO92 Compatible
3-297
C
ZTX853
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