參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX855
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： ZTX855
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH CURRENT TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
FEATURES
*
150 Volt V
CEO
*
4 Amps continuous current
*
Up to 10 Amps peak current
*
Very low saturation voltage
*
P
tot
= 1.2 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
250
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
150
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Peak Pulse Current
I
CM
10
A
Continuous Collector Current
I
C
4
A
Practical Power Dissipation*
P
totp
1.58
W
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1.2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:Tstg
-55 to +200
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
250
375
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown
Voltag
V
(BR)CER
250
375
V
IC=1
μ
A, RB
≤
1K
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
150
180
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
6
8
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
50
1
nA
μ
A
V
CB
=200V
V
CB
=200V, T
amb
=100°C
Collector Cut-Off Current
I
CER
R
≤
1K
50
1
nA
μ
A
V
CB
=200V
V
CB
=200V, T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
10
nA
V
EB
=6V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
20
35
60
210
40
60
100
260
mV
mV
mV
mV
I
C
=100mA, I
B
=5mA*
I
C
=500mA, I
=50mA*
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=4A, I
B
=400mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
960
1100
mV
I
C
=4A, I
B
=400mA*
E-Line
TO92 Compatible
2-300
C
ZTX855
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX857 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX869 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX948 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX949 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX951 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX855STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX855STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX855STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX857 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX857 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN E-LINE
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*