參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX855
廠(chǎng)商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
中文描述： 4 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： ZTX855
ZTX855
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.88
1
V
IC=4A, V
CE
=5V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
100
100
35
200
200
55
10
300
I
C
=10mA, V
=5V
I
C
=1A, V
CE
=5V*
I
C
=4A, V
CE
=5V*
I
C
=10A, V
CE
=5V*
Transition Frequency
f
T
90
MHz
I
=100mA, V
CE
=10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
22
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
66
2130
ns
ns
I
C
=1A, I
=100mA
I
B2
=100mA, V
CC
=50V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
Junction to Case
R
th(j-amb)
R
th(j-case)
150
50
°C/W
°C/W
-40
2.0
1.0
0.0001
50
150
100
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
4.0
3.0
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
Casetempeaue
Ambient temperature
D.C.
D=0.6
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
0.001
0
3-301
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX857 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX869 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX948 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX949 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX951 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX855STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX855STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX855STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX857 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX857 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN E-LINE
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*