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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX618 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| 中文描述： | 3500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | ZTX618 |
ZTX618
D=1(D.C.)
D=0.2
D=0.5
Single Pulse
D=t1
tP
t1
tP
Transient Thermal Resistance
Pulse Width
0.1ms
20
60
100
140
180
1ms
10ms
100ms
10s
100s
1s
160
120
80
40
0
Derating curve
T -Temperature
(°C)
M
-40
0.50
0.25
1.0
0.75
0
40
80
120
200
160
Amben empeaue
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:
Junction to Ambient
1
Junction to Ambient
2
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
175
116
°C/W
°C/W
Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.
Zetex plc.
Fields New Road, Chadderton, Oldham, OL9-8NP, United Kingdom.
Telephone: (44)161 622 4422 (Sales), (44)161 622 4444 (General Enquiries)
Fax: (44)161 622 4420
Zetex GmbH
Streitfeldstrae 19
D-81673 München
Germany
Telefon: (49) 89 45 49 49 0
Fax: (49) 89 45 49 49 49
Zetex Inc.
47 Mall Drive, Unit 4
Commack NY 11725
USA
Telephone: (516) 543-7100
Fax: (516) 864-7630
Zetex (Asia) Ltd.
3510 Metroplaza, Tower 2
Hing Fong Road,
Kwai Fong, Hong Kong
Telephone:(852) 26100 611
Fax: (852) 24250 494
These are supported by
agents and distributors in
major countries world-wide
Zetex plc 1997
Internet:
http://www.zetex.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX649 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| ZTX651 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZTX650 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZTX652 | NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS) |
| ZTX653 | NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX618STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX618STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX618STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX649 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX649 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN E-LINE |
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