參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX618
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 3500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： ZTX618
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
20
100
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
20
27
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
8.3
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=16V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
100
nA
V
EB
=4V
Collector Emitter
Cut-Off Current
I
CES
100
nA
V
CES
=16V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
7
80
210
15
150
255
mV
mV
mV
I
C
=0.1A, I
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=3.5A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.93
1.05
V
I
C
=3.5A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.86
1.0
V
I
C
=3.5A, V
CE
=2V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
200
300
170
40
400
450
300
85
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=200mA, V
=2V*
I
C
=3A, V
CE
=2V*
I
C
=10A, V
CE
=2V*
Transition
Frequency
f
T
100
140
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
23
30
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
170
ns
V
CC
=10V, I
=1A
I
B1
=-I
B2
=10mA
Turn-Off Time
t
(off)
400
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZTX618
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PDF描述
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