參數(shù)資料
型號： ZTX618
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 3500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 147K
代理商： ZTX618
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 2 JULY 1995
FEATURES
*
10A Peak pulse current
*
Excellent h
FE
characteristics up to10A (pulsed)
*
Extremely low saturation voltage e.g. 7mV typ.
*
I
C
cont 3.5A
APPLICATIONS
*
Power MOSFET gate driver in conjunction with
complementary ZTX718
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
20
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
20
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Peak Pulse Current
I
CM
10
A
Continuous Collector Current
I
C
3.5
A
Base Current
I
B
500
mA
Practical Power Dissipation*
P
totp
1.5
W
Power Dissipation
P
tot
1
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
* Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.
ZTX618
C
E-Line
TO92 Compatible
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ZTX618STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX618STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX649 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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