參數(shù)資料
型號： ZTX618
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 3500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： ZTX618
0.2
0
0.3
0
0.1
0.4
0.2
0.3
-55°C
100°C
25°C
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
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C
/I
B
=50
I
C
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B
=100
25°C
25°C
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-55°C
25°C
100°C
-55°C
I
C
/I
B
=50
V
CE
=2V
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100°C
-55°C
V
CE
=2V
1.0
0.8
0.4
0.6
0.2
0
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100V
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450
225
0.4
0.1
1mA
100mA
10mA
1A
10A
10A
1A
100mA
10mA
1mA
10A
1A
10mA
100mA
1mA
1mA
100mA
10mA
1A
10A
1mA
100mA
10mA
1A
10A
0.4
0.8
0.6
0
1.0
100
μ
s
10ms
1s
DC
100ms
1ms
I
C
-Collector Current
I
C
-Collector Current
I
C
-Collector Current
I
C
-Collector Current
I
C
-Collector Current
h
FE
v I
C
V
BE(sat)
v Ic
V
BE(on)
v I
C
V
CE(sat)
v I
C
V
CE(sat)
v I
C
V
CE
- Collector Voltage
Safe Operating Area
Single Pulse Test Tamb=25C
TYPICAL CHARACTERISTICS
ZTX618
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PDF描述
ZTX649 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZTX651 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX650 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX652 NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX618STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX618STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX618STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX649 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX649 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN E-LINE
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