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參數(shù)資料
| 型號： | WED3DL328V10BC |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 9/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 1195K |
| 代理商： | WED3DL328V10BC |
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17
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.wedc.com
White Electronic Designs
WED3DL328V
June, 2002
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 8 PAGE WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @BURST LENGTH=4
NOTES:
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
RAS#
CAS#
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE#
CAc
CBd
RBb
CAa
RAa
DQ
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
Precharge
(Both Banks)
Write
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
WE#
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
HIGH
RAa
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
DAa1
DAa0
DAa2
DON'T CARE
CBb
Note 2
Note 1
RBb
tRDL
tCDL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS1M8V-70CC | 1M X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP32 |
| WS1M8V-85CMA | 1M X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP32 |
| WS512K8-25CA | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, CDIP32 |
| WV3HG264M72EEU806PD4SG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| WS128K32V-35G1TC | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED3DL328V10BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
| WED3DL328V7BC | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
| WED3DL328V7BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
| WED3DL328V8BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX32|CMOS|BGA|119PIN|PLASTIC |
| WED3DL328V8BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
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