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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | WED3DL328V10BC |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 17/27頁 |
| 文件大小： | 1195K |
| 代理商： | WED3DL328V10BC |
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24
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.wedc.com
White Electronic Designs
WED3DL328V
June, 2002
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 15 ACTIVE/PRECHARGE POWER DOWN MODE @CAS# LATENCY=2, BURST LENGTH=4
NOTES:
1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1 CK + tSS prior to Row active command.
3. Cannot violate minimum refresh specication (64ms).
RAS#
CAS#
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE#
Ra
Ca
DQ
Precharge
Read
Row Active
Precharge
Power-Down
Entry
Precharge
Power-Down
Exit
Active
Power-Down
Entry
Active
Power-Down
Exit
WE#
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Note 3
Note 2
tSS
DON'T CARE
tSS
tSHZ
Note 1
Ra
Qa1
Qa0
Qa2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS1M8V-70CC | 1M X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP32 |
| WS1M8V-85CMA | 1M X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP32 |
| WS512K8-25CA | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, CDIP32 |
| WV3HG264M72EEU806PD4SG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| WS128K32V-35G1TC | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED3DL328V10BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
| WED3DL328V7BC | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
| WED3DL328V7BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
| WED3DL328V8BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX32|CMOS|BGA|119PIN|PLASTIC |
| WED3DL328V8BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:8Mx32 SDRAM |
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