- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄245705 > W986432DH-7L (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W986432DH-7L |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 24/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1648K |
| 代理商： | W986432DH-7L |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁
W986432DH
- 30 -
Operating Timing Example, continued
Page Mode Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
tCCD
tRAS
tRCD
tRRD
RAa
CAI
RBb
CBx
CAy
CAm
CBz
a0
a1
a2
a3
bx0
bx1
Ay0
Ay1
Ay2
am0
am1
am2
bz0
bz1
bz2
bz3
(CLK = 100 MHz)
* AP is the internal precharge start timing
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
Active
Read
Active
Read
Precharge
tAC
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
BS0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF1M32E-150G2C | 4M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, QMA68 |
| WS57C45-35KMB | 2K X 8 UVPROM, 15 ns, CDIP24 |
| W3DG644V75D2 | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| W3E64M72S-266BI | 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3HG2128M72EER534D4SG | 256M X 72 MULTI DEVICE DRAM MODULE, ZMA200 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9864G2DH6 | 制造商:WINBOND 功能描述:New |
| W9864G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-5 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-6C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。