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參數(shù)資料
| 型號： | W9412G6IH-6I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 10/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 825K |
| 代理商： | W9412G6IH-6I |
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W9412G6IH
Publication Release Date: Sep. 16, 2009
- 18 -
Revision A06
8.2 Function Truth Table
(Note 1)
CURRENT
STATE
CS RAS
CAS
WE
ADDRESS
COMMAND
ACTION
NOTES
H
X
DSL
NOP
L
H
X
NOP/BST
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
3
L
H
BA, RA
ACT
Row activating
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
NOP
L
H
X
AREF/SELF
Refresh or Self refresh
2
Idle
L
Op-Code
MRS/EMRS
Mode register accessing
2
H
X
DSL
NOP
L
H
X
NOP/BST
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Begin read: Determine AP
4
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Begin write: Determine AP
4
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
Precharge
5
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Row Active
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
X
BST
Burst stop
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Term burst, new read: Determine AP
6
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
Term burst, Precharging
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Read
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Term burst, start read: Determine AP
6, 7
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Term burst, start read: Determine AP
6
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
Term burst, Precharging
8
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Write
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| W9412G6JH-5TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M DDR SDRAM X16 200MHZ, 65N |
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