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參數(shù)資料
| 型號： | W25Q32BVSFIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, SOIC-16 |
| 文件頁數(shù)： | 68/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 1090K |
| 代理商： | W25Q32BVSFIG |
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W25Q32BV
- 70 -
9. PACKAGE SPECIFICATION
9.1 8-Pin SOIC 208-mil (Package Code SS)
GAUGE PLANE
θ
GAUGE PLANE
θ
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
A
1.75
1.95
2.16
0.069
0.077
0.085
A1
0.05
0.15
0.25
0.002
0.006
0.010
A2
1.70
1.80
1.91
0.067
0.071
0.075
b
0.35
0.42
0.48
0.014
0.017
0.019
C
0.19
0.20
0.25
0.007
0.008
0.010
D
5.18
5.28
5.38
0.204
0.208
0.212
D1
5.13
5.23
5.33
0.202
0.206
0.210
E
5.18
5.28
5.38
0.204
0.208
0.212
E1
5.13
5.23
5.33
0.202
0.206
0.210
e
(2)
1.27 BSC.
0.050 BSC.
H
7.70
7.90
8.10
0.303
0.311
0.319
L
0.50
0.65
0.80
0.020
0.026
0.031
y
---
0.10
---
0.004
θ
0°
---
8°
0°
---
8°
Notes:
1. Controlling dimensions: millimeters, unless otherwise specified.
2. BSC = Basic lead spacing between centers.
3. Dimensions D1 and E1 do not include mold flash protrusions and should be measured from the bottom of the package.
4. Formed leads coplanarity with respect to seating plane shall be within 0.004 inches.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6466S335BD4S | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| WEDF1M32B-70G2UC5A | 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 70 ns, CQFP68 |
| WE128K32P-140G2TI | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CQFP68 |
| WE128K32P-150G2TQA | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CQFP68 |
| W7NCF01GH31IS6BG | 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q32BVSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVSSAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVSSAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVSSIG | 功能描述:IC SPI FLASH 32MBIT 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W25Q32BVSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 32M-BIT, 4KB UNIFORM |
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